(CercleFinance.com) - STMicroelectronics et Innoscience annoncent la signature d'un accord sur le développement et la fabrication de la technologie GaN (nitrure de gallium), pour 'renforcer les solutions de puissance en GaN et la résilience de la chaîne d'approvisionnement'.
Cet accord de développement conjoint vise à conjuguer les points forts de chaque entreprise: Innoscience pourra utiliser la capacité de production du Franco-Italien en Europe tandis que ST pourra tirer parti de celle de son partenaire en Chine.
Par ce partenariat, les deux groupes souhaitent ainsi 'construire l'avenir de l'électronique de puissance pour les data centers d'intelligence artificielle, la production et le stockage d'énergies renouvelables, les voitures et plus encore'.
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